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第四代半导体工艺设备 氧化镓退火炉
用途：
新型的宽禁带半导体材料,氧化镓（Ga2O3）由于自身的优异性能,凭借其比第三代半导体材料SiC和GaN更宽的禁带，在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。氧化镓是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。
青岛晨立生产的氧化镓退火炉主要适用于科研单位、高等院校、研究机构及企业。主要用于2-6英寸氧化镓的退火等工艺使用。
地址： 山东省青岛市即墨区泰山三路285号联东U谷即墨科技创新谷3号楼 电话：13869885308 邮编：266200
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